Lenovo Hitachi HUSML4020ASS60 - SSD - 400 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 6Gb/s - CRU - für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure (00Y2513)

Kurzinfo: Transcend MTS600 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - M.2 2260 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS512GMTS600 Modell MTS600 EAN/UPC 0760557829751 Produktbeschreibung: Transcend MTS600 - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - Intel ISRT-Unterstützung Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2260 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Intel ISRT-Unterstützung Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 60 mm x 22 mm x 3.5 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2260 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Intel ISRT-Unterstützung Breite 60 mm Tiefe 22 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 7 g Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 310 MBps (Schreiben) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA

Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 1.6 TB - Hot-Swap - 2.5 (6.4 cm) (in 8,9 cm Träger) (in 3.5 Träger) - SAS 12Gb/s - für PRIMERGY RX2530 M2, RX2530 M4, RX2540 M2, RX2540 M2 Storage Spaces, RX2540 M4 (3.5) Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F5607-L160 Modell EAN/UPC 4057185674119 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 1.6 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5 (6.4 cm) (in 8,9 cm Träger) (in 3.5 Träger) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise, Write-Intensive Endurance Entwickelt für PRIMERGY RX2530 M2 (3.5), RX2530 M4 (3.5), RX2540 M2 (3.5), RX2540 M2 Storage Spaces (3.5), RX2540 M4 (3.5) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Enterprise, Write-Intensive Endurance Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 10 Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung

Kurzinfo: WD Green PC SSD WDS120G1G0B - Solid-State-Disk - 120 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Western Digital Hersteller Art. Nr. WDS120G1G0B Modell WD Green PC SSD WDS120G1G0B EAN/UPC 4016139150956 Produktbeschreibung: WD Green PC SSD WDS120G1G0B - Solid-State-Disk - 120 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale DEVSLP SATA-Energiesparmodus, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 1.5 mm Gewicht 6.46 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale DEVSLP SATA-Energiesparmodus, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 1.5 mm Gewicht 6.46 g Leistung SSD-Leistung 40 TB Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 540 MBps (lesen)/ 430 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 37000 IOPS 4 KB Random Write 63000 IOPS Zuverlässigkeit

Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,

Kurzinfo: Micron 5100 PRO - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV960TCB-1AR1ZABYY Modell Micron 5100 PRO EAN/UPC 0649528781376 Produktbeschreibung: Micron 5100 PRO - Solid-State-Disk - 960 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Secure Erase-Funktion, Enhanced Power Loss Data Protection, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, End-to-End-Datenschutz, aufrüstbare Firmware, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Byte pro

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo