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Kurzinfo: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378A5244CB0-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei Weitere Informationen Zustand Die Verpackung
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Memorysolution 256MB Kyocera KM-C2520, KM-C3225, KM-C3232
Memorysolution 4GB FSC Celsius W510 (D3067) ECC
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3L - 8 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - ungepuffert - nicht-ECC - für Toshiba Portégé R30 Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS8192TOS-NB170 Modell EAN/UPC 4047762487515 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3L - 8 GB - SO DIMM 204-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR3L SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Leistungsmerkmale Niederspannung, ungepuffert Spannung 1.35 V Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Toshiba PA5104U-1M8G Entwickelt für Toshiba Portégé R30 Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Toshiba PA5104U-1M8G Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Niederspannung, ungepuffert Spannung 1.35 V Informationen
Features: Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals. Low-power auto self refresh (LPASR). Data bus inversion (DBI) for data bus. On-die VREFDQ generation and calibration. On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM. Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS). High speed DDR4-2400, 1.2V operating voltage.