Intel Optane Solid-State Drive DC P4800X Series - SSD - verschlüsselt - 375 GB - 3D Xpoint (Optane) - intern - 2.5"" (6.4 cm) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T50AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300138 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640,

Kurzinfo: Intel Optane P4800X Performance - Solid-State-Disk - 375 GB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR650, SR850, SR950 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7N47A00081 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Optane P4800X Performance - Solid-State-Disk - 375 GB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 375 GB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR650, SR850, SR950 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 375 GB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz,

Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD1600MM HUSMM1640ASS201 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 400 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B32145 EAN/UPC 8717306637862 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD1600MM HUSMM1640ASS201 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), TCG Enterprise Compliant, Self Encrypting Solid-State Drive (SE-SSD), Mainstream Endurance, T10 Data Integrity Field (DIF) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche Details

Kurzinfo: Lenovo - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 (M.2) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkCentre M710, M715, M800, M810, M900, M910, V520-15, V520S-08 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 4XB0N26469 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Lenovo - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Entwickelt für ThinkCentre M710q 10MQ, 10MR, 10MS, M710s 10M7, 10M8, M710t 10M9, 10MA, M715q 10M2, 10M3, 10M5, M800 10FV, 10FW, 10FX, 10FY, M810z 10NX, 10NY, 10Q0, M900 10FC, 10FD, 10FG, 10FH, 10FL, 10FM, 10FR, 10FS, M910q 10MU, 10MV, 10N0, M910s 10MK, 10ML, M910t 10MM, 10MN, M910x 10N0, M910z 10NR, 10NS, 10NT, 10NU, V520-15IKL 10NK, V520S-08IKL 10NM, 10NN Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Leistung Interner Datendurchsatz 2800 MBps (lesen)/ 1700