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Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität
Kurzinfo: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV256TBN-1AR1ZABYY Modell Micron 1100 EAN/UPC 8592978058746 Produktbeschreibung: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Secure Erase-Funktion, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, dynamische Schreibbeschleunigung, ATA Security, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 1.35 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Byte pro Sektor 512 Merkmale Dynamic
Hauptmerkmale Leistung SSD Speicherkapazität 120 GB Lesegeschwindigkeit 490 MB/s Schreibgeschwindigkeit 410 MB/s Speichertyp MLC Design Produktfarbe Edelstahl Weitere Spezifikationen Eingebaut Ja
Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - Self Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T59AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300220 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Leistung SSD-Leistung 146 TB Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Kompatible Einschübe 1 intern Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur
Delock M.2 NGFF SATA 6 Gb/s Nand Flash WT 512 GB (S80) MLC -40°C ~ +85°C Delock (54698)
Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - Self Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T58AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300213 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Leistung SSD-Leistung 146 TB Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Kompatible Einschübe 1 intern Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur
