Intel Optane SSD DC P4801X Series - SSD - 100GB - 3D Xpoint (Optane) - intern - M.2 22110 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES (SSDPEL1K100GA01)

Kurzinfo: Intel Optane - Solid-State-Disk - 118 GB - 3D Xpoint (Optane) - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) - für EliteDesk 705 G4, 800 G4, ProDesk 400 G4, 400 G5, 600 G4 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 4RV34AA Modell Intel Optane EAN/UPC 0192545975193 Produktbeschreibung: Intel Optane - Solid-State-Disk - 118 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 118 GB SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale ATA Security Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 2.2 cm x 8 cm x 2 mm Gewicht 10 g Entwickelt für EliteDesk 705 G4, 800 G4, ProDesk 400 G4, 400 G5, 600 G4 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 118 GB SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale ATA Security Breite 2.2 cm Tiefe 8 cm Höhe 2 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 1200 MBps (lesen)/ 600 MBps (Schreiben)

Dank des kleinen mSATA-Formfaktors eignet sich die SSD 860 EVO für Ultrabooks und Kleinsysteme. Dabei verzichten Sie nicht auf die hohe Performance und hohe Leistung bei länger andauernden Arbeitslasten. Der moderne V-NAND Flash ist sehr robust und bietet dadurch hohe Schreibdatenmengen für Client-Systeme. Eine hohe Kompatibilität, ein leistungsfähiger Controller sowie Speicherkapazitäten bis 1 TB runden die 860 EVO mSATA Serie ab. Produktmerkmale: Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 550 MB/s lesend bzw. 520 MB/s schreibend Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 97.000 IOPS (Random Read) bzw. 88.000 IOPS (Random Write) Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer für maximale Schreib-Performance Zeichnet sich durch eine robuste V-NAND Technologie aus M.2-Formfaktor für hohe Kompatiblität mit kompakten PCs, Notebooks und Ultrabooks Schnittstelle: SATA 6 Gb/s, abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s Leistungsfähige Magician Software

Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 1.6 TB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL20 Gen9, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873357-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 1.6 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.6 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL160 Gen9 (2.5""), DL160 Gen9 Base (2.5""), DL160 Gen9 Entry (2.5""), DL160 Gen9 Performance (2.5""), DL160 Gen9 Thoughtspot Server (2.5""), DL20 Gen9 (2.5""), DL20 Gen9 Base (2.5""), DL20 Gen9 Entry (2.5""), DL20 Gen9 Performance (2.5""), DL20 Gen9 Special

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 1PD56AA Modell Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190781704331 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Entwickelt für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Leistung SSD-Leistung 150 TB Interner Datendurchsatz 2800 MBps (lesen)/ 1100 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 250000 IOPS 4 KB Random Write 180000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)