Lenovo ThinkPad - SSD - 512GB - intern - SATA 6Gb/s (4XB0K48501)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKHW240A401 EAN/UPC 0735858258838 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 10 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology,

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial

Kurzinfo: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE820 Modell MTE820 EAN/UPC 0760557839651 Produktbeschreibung: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung,

Kurzinfo: Lexar NM610 - Solid-State-Disk - 500 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Lexar Hersteller Art. Nr. LNM610-500RB Modell NM610 EAN/UPC 0843367115983 Produktbeschreibung: Lexar NM610 - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Kapazität 500 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.25 mm Gewicht 9 g Lokalisierung Weltweit Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D