HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - SSD - 1,92TB - intern - 6,4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) (0TS1355)

Kurzinfo: HPE Read Intensive - Solid-State-Disk - 1.92 TB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL580 Gen9, ML110 Gen9, ML150 Gen9 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 875326-B21 Modell HPE Read Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Read Intensive - Solid-State-Disk - 1.92 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.92 TB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL120 Gen9 Entry, DL160 Gen9, DL160 Gen9 Base, DL160 Gen9 Entry, DL160 Gen9 Performance, DL160 Gen9 Thoughtspot Server, DL180 Gen9, DL180 Gen9 Base, DL180 Gen9 Entry, DL180 Gen9 Storage, DL20 Gen9, DL20 Gen9 Base (2.5""), DL20 Gen9 Entry (2.5""), DL20 Gen9 Performance (2.5""), DL20 Gen9 Special Server (2.5""), DL580 Gen9 (2.5""),

Kurzinfo: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Kingston Hersteller Art. Nr. SA1000M8/960G Modell A1000 EAN/UPC 0740617277296 Produktbeschreibung: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 7.6 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 7.6 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Interner Datendurchsatz 1500 MBps (lesen)/ 1000 MBps (Schreiben)

Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54155 Modell IDE Flash Module EAN/UPC 4043619541553 Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 53 mm x 27 mm x 5.8 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Breite 53 mm Tiefe 27 mm Höhe 5.8 mm Leistung Interner Datendurchsatz 40 MBps (lesen)/ 20 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Stromversorgung Energieverbrauch 150 mAh (aktiv) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Antistatik-Abdeckung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur -10 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz 50 g @ 10ms Dauer Vibrationstoleranz 5 g @ 7-200 Hz (in Betrieb)

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive Dual Pro - Solid-State-Disk - 512 GB Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 4YF61AA Modell HP Z Turbo Drive Dual Pro EAN/UPC Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive Dual Pro - Solid-State-Disk - 512 GB Typ Solid-State-Disk Kapazität 512 GB Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk Kapazität 512 GB

Kurzinfo: HP - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 (M.2) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 1FU87AA#AC3 Modell HP EAN/UPC Produktbeschreibung: HP - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe), dreistufige Zelle (TLC) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe), dreistufige Zelle (TLC) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2 (M.2)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive 660p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKNW010T8XT EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive 660p Series - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, Intel Smart Response Technology(ISRT) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D Quad-Level Cell (QLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz,